リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） sdm2013-122 エレソ技報アーカイブへのリンク： sdm2013-122: 抄録 （和） シリコンウェハーまたはシリコンウェーハ (英語: silicon wafer) は、高純度な珪素（シリコン）のウェハーである。 シリコンウェハーは、珪素のインゴットを厚さ1mm程度に切断して作られる。. アンチモンフリータイプの透明導電粉として、酸化錫ナノ粉末「S－1」、「S－2000」、リンドープ酸化錫ナノ粉末「EP SP－2」を御提供させて頂いております。
本発明は、FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてArベースのPH 3 ガスとArベースのB 2 H 6 ガスとを用いてドープすることによりN型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするN型シリコン単結晶の製造方法である。 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） sdm2013-122 エレソ技報アーカイブへのリンク： sdm2013-122: 抄録 （和）
微細な結晶粒を有する、リンまたはボロンがドープされたポリシリコンを形成すること。 - ポリシリコン膜の形成方法 - 特開2009−99582 - 特許情報 本発明は、FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてArベースのPH 3 ガスとArベースのB 2 H 6 ガスとを用いてドープすることによりN型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするN型シリコン単結晶の製造方法である。
シリコンが価電子を4つもっていたのに対し、リンは5つの価電子をもっている。そのため図のようにシリコンだけのときと比べて、電子の数が一つ多くなっている。この電子は共有結合に束縛されることなく自由に動き回る(自由電子)。 ＜概要＞ シリコン単結晶に中性子を照射すると、シリコン中に存在する 30 Siが中性子照射を受け 31 Siが生成され、これがベータ（β）崩壊して安定同位元素 31 Pに変換する。 中性子（照射）ドーピングは、この反応を利用してシリコン中にリンを均一にドープする方法である。
半導体の特徴とn型半導体・p型半導体ついてご存知ですか。半導体に添加する物質によってn型半導体・p型半導体と異なります。この記事では、半導体の特徴、n型半導体・p型半導体について図解入りで説明しています。n型半導体・p型半導体について興味のある方は、是非ご覧になって下さい。 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 (シリコン材料・デバイス) 岡村 隆徳 , 西村 英紀 , 冬木 隆 , 富澤 由香 , 池田 吉紀 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351), 37-41, 2013-12-13
シリコンの場合、純粋なシリコンでは電気抵抗が大きすぎて実用にならないため、ほんの微少量のボロン（ホウ素）やリンをまぜること（ドープ、といいます）で半導体として機能させます。 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 岡村隆徳・西村英紀・冬木 隆（奈良先端大）・富澤由香・池田吉紀（帝人） sdm2013-122 エレソ技報アーカイブへのリンク： sdm2013-122: 抄録 （和） n型半導体では、 シリコンの結晶にごく少量の＜リン＞（p）を混ぜます。 リン原子は、 最外殻に5つの電子を持っています。 これがシリコンの結晶と結合すると、 4つの電子は結合に使われますが、 1つだけ余ってしまいました。
ドープ (dope) またはドーピング (doping) とは、結晶の物性を変化させるために少量の不純物を添加すること。.
シリコン基板中では,ド ーパント(不 純物原子)が 点欠陥(空 孔,格 子間シリコン原子)と 対になっ て拡散するため,そ の拡散係数は点欠陥の濃度に比例する.点 欠陥はイオン注入やシリコン表面の酸化 私たち三菱マテリアル電子化成では、「モノづくり」の中の課題克服や機能実現のために機能製品を製造しております。その中から「導電機能」を持つ材料を紹介いたします リンドープn型ダイヤモンド半導体の電極界面特性の解明と低抵抗化 主 査 筑波大学教授 理学博士 山崎 聡 副 査 筑波大学教授 Ph.D. 佐野 伸行 副 査 筑波大学教授 工学博士 山田 啓作 リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製 (シリコン材料・デバイス) 岡村 隆徳 , 西村 英紀 , 冬木 隆 , 富澤 由香 , 池田 吉紀 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(351), 37-41, 2013-12-13
谷 口 研 二.
特に半導体で重要な操作で、不純物の添加により電子や正孔（キャリア）の濃度を調整する他、禁制帯幅などのバンド構造や物理的特性などを様々に制御するために用いる。 シリコンウェハーは集積回路 （IC、またはLSI）の製造に最も多く使用される。
シリコン中の不純物原子拡散.